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Transistor TIP115

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Aufgrund ihrer extrem kurzen Ansprechzeiten ideal zur Unterdrückung/Verringerung der Effekte einer elektrostatischen Entladung. Sie sind für verschiedene Durchbruchspannungen spezifiziert. Kapazität: ca. 1 nF. Kunststoffgehäuse F126 - 7,2 kW/8-20 µs